压敏电阻、过压保护|防浪涌、高功率压敏电阻

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    zno压敏电阻是半导体电子陶瓷器件,主要功能是 识别和限制瞬态过电压,反复使用而不损坏。它的电流 (I)—电压(U)特性是非线性的,与稳压二极管相似。 但与二极管不同,压敏电阻能限制的过电压在两个极性上 相等,于是呈现的  I-U  特性很象两个背对背的二极管。 压敏电阻能用于交流和直流电场,电压范围从几伏到几千 伏,电流范围从毫安到几千安。压敏电阻还附加有高能量 吸收能力的特性,范围从几焦耳到几千焦耳。它的通用性 使得压敏电阻在半导体工业和电力工业都有应用。 ZnO 压敏电阻是用半导体 ZnO 粉末和其它氧化物粉末 如:Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Si 等经过混合、压型和烧 结工艺而制成。得到的产品是具有晶界特性的多晶陶瓷, 这一边界特性决定了压敏电阻的非线性 I-U 特性。 ZnO 压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和 化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介,是 ZnO 压敏 电阻的基础。

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    压敏电阻连续工作电压寿命,即压敏电阻在规定环境和系统电压条件下应能可靠地工作规定的时间(h)。由于压敏电阻总是承受着稳态工作电压应力的作用,压敏电阻的寿命是与漏电流密切相关的。在不发生机械或其他电气性能失效的情况下,压敏电阻的寿命主要由漏电流IR(密度JR)及其温度、电压和时间的上升情况所决定。随着漏电流IR(密度JR)升高,发热量增大,若这个能量不能散失,元件的温度会很快上升,这种元件在维持一段初始稳定状态后,终将达到热失控(击穿)的温度而结束其使用寿命。

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    ZnO晶相位于晶粒体内,为低电阻率的半导体,对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂,有大量的导电电子存在,为n型半导体。富铋相,约在750℃形成12/14 Bi2O3

    ·Cr2O3 ,温度低于850℃参与形成焦绿石相,超过850℃后从焦绿石相中分离出来,生成含

    Cr的富铋相,含有尖晶石相和Zn,随着温度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。

    Cr有稳定尖晶石相的作用,高温冷却时,可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成,850℃时达到峰值,约950℃时消失,

    反应式如下

    2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3


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