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ZnO压敏电阻器的限压原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV

为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。

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ZnO压敏电阻器的结构：

晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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介电特性：

压敏电阻器类似一边界层电容器，视在介电常数很高。介电常数和介电损耗与频率，温度和所加的电压有关，在30-106°C的温度范围内，介电常数随温度升高而增大；介电常数随频率升高而下降；电容在低电场区域随所加电压的增加而降低，进入中电场区域随电压增大而急剧上升。

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