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ＺｎＯ　压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富　Ｂｉ　相（图　３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ　压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　压敏电阻的基本构成单纯　ＺｎＯ　是具有线性　Ｉ－Ｕ　特性的非化学计量　ｎ　型半导 体。进入　 ＺｎＯ　 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌

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氧化锌压敏电阻器已广泛应用于过电压保护、浪涌吸收、过电流泄放等方面,是防护电气电子设备因受雷电闪击及其他瞬态电磁干扰造成传导过电压危害的有效器件,它的性能直接影响安全保护效果。因氧化锌压敏电阻在系统或设备运行中必然存在老化劣化现象,

故必须对其进行定期检测,以防止老化劣化产品仍工作在系统或设备中。然而,目前检测方法所判定的压敏电压U1mA和漏电流I

leakage两个参数都存在拐点效应,即只有当MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才会出现显著变化;而在这个拐点之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93测试标准的要求[8],这就给检测结果带来不确定性。某个产品自身已经老化劣化到一定程度需要及时更换,但U1mA和Ileakage检测值仍然合格。

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      限制电压比

      限制电压比是指在通流能力实验中通过特定电流时加在压敏电阻器两端的电压Up与压敏电压U1mA的比值。它体现了压敏电阻器在大电流通过时的非线性特性，限制电压比越小，越能起到保护电路的作用。通流值和限制电压比一同反映了压敏电阻工作特性的好坏，即是压敏电阻通流值越大越能吸收浪涌电流，限制电压比越小，分流作用就越明显，保护特性就越好。

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