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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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老化的表现：

老化是指在各种外加应力及外界因素作用下，其性能及电气物理参数发生改变，逐步偏离其起始性能指标。ZnO压敏电阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在预击穿区，而击穿区的老化较小，表现为I-V特性曲线在低电场区向右偏移，阻性电流加大，功率损耗增大，压敏电压下降。直流电压作用后的老化，I-V特性不对称；交流电压作用下的老化。另老化后电容量减小，介电损耗增大。

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ZnO压敏电阻器的结构：

晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。

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