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压敏电阻器、EPCOS压敏电阻器、过压保护|防雷

东莞市源林电子科技有限公司
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    ZnO压敏电阻器的限压原理:

    VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS为浪涌电压,Zsourc为浪涌电压源的阻抗,如传输线的电阻或线圈的电感等,ZSIOV

    ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估,因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低频时大得多。

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    压敏电压U1mA

    压敏电阻的线性向非线性转变的电压转变时,位于非线性的起点电压正好在I-V曲线的的拐点上,该电压确定为元件的启动电压,也称为压敏电压,是由阻性电流测试而得的。由于I-V曲线的转变点清晰度不明显,多数情况下是在通1mA电流时测量的,用U1mA来表示。对于一定尺寸规格的ZnO压敏电阻片,可通过调节配方和元件的几何尺寸来改变其压敏电压。亦有使用10mA电流测定的电压作为压敏电压者,以及使用标称电流测试者,标称电压定义为0.5mA/cm2,电流密度测定的电场强度E0.5表示,对于大多数压敏电阻器而言,这个值更接近非线性的起始点。3. 漏电流IL压敏电阻器进入击穿区之前在正常工作电压下所流过的电流,称为漏电流IL。漏电流主要由三部分贡献:元件的容性电流,元件的表面态电流和元件晶界电流。一般对漏电流的测量是将0.83倍U1mA的电压加于压敏电阻器两端,此时流过元件的电流即为漏电流。根据压敏电阻器在预击穿区的导电机理,漏电流的大小明显地受到环境温度的影响。当环境温度较高时,漏电流较大;反之,漏电流较小。可以通过配方的调整及制造工艺的改善来减小压敏电阻器的漏电流。研究低压元件的漏电流来源是很重要的,为了促进ZnO晶粒的长大,低压元件中通常会添加大量的TiO2,过量掺杂造成压敏元件漏电流增大[6]~[9],在元件性能测试时容易引入假象,例如压敏电压和启动电压偏离较大。测试元件的非线性时,我们希望漏电流以通过晶界的电流为主。但低压元件普遍存在吸潮现象,初烧成的低压元件漏电流可以保持在4~20μA内,放置8~24h后,元件的漏电流可以增大到200μA。这样的元件的晶界非线性并没有被破坏,但却表现出非线性低,压敏电压也稍有降低的表象。

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    能量吸收能力:

    能量吸收能力Wmax=Vmax·Imax·tmax其中Imax由降额曲线上查到;Vmax可从I-V特性曲线上读取,对应Imax时的电压值;tmax可用矩形法求得,数据是用2ms方波,加100次脉冲,脉冲间隔120s,|ΔU1mA/ U1mA |≤10%所能吸收的能量。单位体积的能量吸收能力E上限为200-250J/cm3,也有报道超过1000J/cm3的

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