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ZnO是六方晶系纤锌矿结构，其化学键处于离子键与共价键的中间键型状态，氧离子以六方密堆，锌离子占据一半的四面体空隙，锌和氧都是四面体配位。ZnO是相对开放的晶体结构，开放的结构对缺陷的性质及扩散机制有影响，所有的八面体间隙和一半的四面体间隙是空的，正负离子的配位数均为4，所以容易引入外部杂质，ZnO熔点为2248，密度为5.6g/cm3，纯净的ZnO晶体，其能带由02-的满的2p电子能级和Zn2+的空的4s能级组成，禁带宽度为3.2～3.4eV，因此，室温下，满足化学计量比的纯净ZnO应是绝缘体，而ZnO中常见的缺陷是金属填隙原子，所以它是金属过剩(Zn1+xO)非化学计量比n型半导体。

Eda等认为，在本征缺陷中，填隙锌原子扩散快，对压敏电阻稳定性有很大影响。

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氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体、添加多种金属氧化物、经典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元件。氧化锌陶瓷是由氧化锌晶粒及晶界物质组成的，其中氧化锌晶粒中掺有施主杂质而呈N型半导体，晶界物质中含有大量金属氧化物形成大量界面态，这样每一微观单元是一个背靠背肖特基势垒，整个陶瓷就是由许多背靠背肖特基垫垒串并联的组合体。

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氧化锌压敏电阻器已广泛应用于过电压保护、浪涌吸收、过电流泄放等方面,是防护电气电子设备因受雷电闪击及其他瞬态电磁干扰造成传导过电压危害的有效器件,它的性能直接影响安全保护效果。因氧化锌压敏电阻在系统或设备运行中必然存在老化劣化现象,

故必须对其进行定期检测,以防止老化劣化产品仍工作在系统或设备中。然而,目前检测方法所判定的压敏电压U1mA和漏电流I

leakage两个参数都存在拐点效应,即只有当MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才会出现显著变化;而在这个拐点之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93测试标准的要求[8],这就给检测结果带来不确定性。某个产品自身已经老化劣化到一定程度需要及时更换,但U1mA和Ileakage检测值仍然合格。

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