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    晶粒边界到晶粒的电位陡降发生在≈50 ̄100nm 的距离内,称为耗尽层。这样, 在每个晶粒边界处都存在晶粒边界向两侧延展入相邻晶粒 的耗尽层。晶粒间存在耗尽层提高了压敏电阻的作用。 晶粒边界两侧两个耗尽层的存在,使得  ZnO  压敏电 阻对极性变化不敏感。在这一方面,压敏电阻像一个背对 背的二极管。进一步说,由于晶粒边界附近区域的电子被 耗尽,当施加外电压时,跨在晶粒边界上出现一电压降。 这被称作势垒电势,一般是≈2 ̄4V/(每晶粒边界)。

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    通流量(峰值电流)Im

    通流容量(kA)也称通流量,是指在规定的条件(规定的时间间隔和次数,施加标准的冲击电流)下,允许通过压敏电阻器上的脉冲(峰值)电流值。目前大多数厂家在说明书中通常给出两个通流量指标,一个是冲击一次的指标,另一个是冲击两次(间隔5分钟)的指标。

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    ZnO压敏电阻器的限压原理:

    VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS为浪涌电压,Zsourc为浪涌电压源的阻抗,如传输线的电阻或线圈的电感等,ZSIOV

    ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估,因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低频时大得多。

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