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    ZnO晶相位于晶粒体内,为低电阻率的半导体,对大电流特性有决定性作用。ZnO半导化的原因主要是氧不足导致的非化学计量比和施主掺杂,有大量的导电电子存在,为n型半导体。富铋相,约在750℃形成12/14 Bi2O3

    ·Cr2O3 ,温度低于850℃参与形成焦绿石相,超过850℃后从焦绿石相中分离出来,生成含

    Cr的富铋相,含有尖晶石相和Zn,随着温度的升高,Cr逐步移到尖晶石相中。

    Cr有稳定尖晶石相的作用,高温冷却时,可以阻止生成焦绿石相。 焦绿石相700-900℃时形成,850℃时达到峰值,约950℃时消失,

    反应式如下

    2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3


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    残压比KR  

    通过压敏电阻器的电流为某一值时,在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

    残压比KR的定义公式为:

    KR =UR/UN

    残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力,在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用,在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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    zno压敏电阻是半导体电子陶瓷器件,主要功能是 识别和限制瞬态过电压,反复使用而不损坏。它的电流 (I)—电压(U)特性是非线性的,与稳压二极管相似。 但与二极管不同,压敏电阻能限制的过电压在两个极性上 相等,于是呈现的  I-U  特性很象两个背对背的二极管。 压敏电阻能用于交流和直流电场,电压范围从几伏到几千 伏,电流范围从毫安到几千安。压敏电阻还附加有高能量 吸收能力的特性,范围从几焦耳到几千焦耳。它的通用性 使得压敏电阻在半导体工业和电力工业都有应用。 ZnO 压敏电阻是用半导体 ZnO 粉末和其它氧化物粉末 如:Bi、Sb、Co、Mn、Cr、Ni、Si 等经过混合、压型和烧 结工艺而制成。得到的产品是具有晶界特性的多晶陶瓷, 这一边界特性决定了压敏电阻的非线性 I-U 特性。 ZnO 压敏电阻的基本特性包括电学特性、物理特性和 化学特性。微观结构是体现这些性质的媒介,是 ZnO 压敏 电阻的基础。

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