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ZnO压敏电阻已发明三十多年，世界范围众多科研工作者无论在配方的探讨、优化还是微观形成机理的检测和分析领域都进行卓有成效的工作，摸索了一些适合工业化生产的配方和具体工艺路线。对配方的进行了细致的实验摸索，旨在提高宏观电性能如：通流能力、非线形系数、能量耐受能力和电压梯度等等。如：氧化锌压敏电阻中加入少量稀土氧化物改善电压梯度；研究Sb/Bi比例和氧分压等等对性能影响。德国西门子公司研制的用溶液蒸发分解技术(EDS)制备多组分的ZnO压敏电阻瓷料的新工艺。新兴的纳米材料学给许多交叉学科的发展提供了新的思路和方法，在纳米制备科学中纳米粉体的制备由于其显著的应用前景发展得较快，国内外从事压敏电阻研究的学者，为了获得均匀的前驱粉体，将这种新技术引入氧化锌压敏电阻器制造工艺中，并作了大量的研究工作。在如何提高器件通流能力方面，国内厂家也进行了积极探索，主要集中在二个方面：（l）原材料研究，如：稀土氧化物掺杂、添加MgO、化学均相共沉以及溶盐热分解等。（2）制备工艺探索，搅拌球磨和压滤机等。但相互协作研究相比而言较少，与科研机构合作也不是很多。

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ZnO压敏电阻的缺陷除ZnO的本征缺陷外，杂质元素的添加是影响其压敏性能的极其重要的因素。国内外研究人员进行了大量研究工作，取得了大量的成果。晶体中杂质的进入或缺陷的存在，将破坏部分正常晶格的平移对称性，产生以杂质离子或缺陷为中心的局域振动模式，从而形成新的能级，这些新的能级一般位于禁带之内，具有积累非平衡载流子(电子或空穴)的作用，这就是所谓的陷阱效应，一般把具有显著陷阱效应的杂质或缺陷能级称为陷阱，相应的杂质或缺陷成为陷阱中心。电子陷阱是指一类具有相变特征的受主粒子(Mn、Cu、Bi、Fe、Co等)对电子形成的一种束缚或禁锢状态。从晶体能带理论来解释,它是指由于各种原因使得晶粒中的导带弯曲或不连续，从而在导带中形成的势阱；从晶体结构来看，电子陷阱是指某些晶格点或晶体具有结构缺陷，这种缺陷通常带

有一定量的正电荷，因而能够束缚自由电子，正如一般电子为原子所束缚的情况，电子陷阱束缚的电子也具有确定的能级。

ZnO作为一种宽禁带的半导体材料,具有本征电导特征。这一本征施主特性使得ZnO粉料能与多种具有相变特征的受主元素在微观结构中形成电子陷阱。被电子陷阱俘获的电子在外界电、磁、光、热等物理量作用下，可脱离陷阱束缚，产生各种丰富的物理效应，在电场下的V-I非线性就是压敏性能的表现。

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