压敏电阻器|过压保护|防雷|430V 压敏电阻器
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老化机理：
曾经被认为是老化的起因的有电子陷阱，偶极子转向，氧脱附和离子迁移，目前能证实的只有填隙锌离子迁移。一般认为老化是晶界现象，是由于耗尽层内离子迁移，而Zni是主要的迁移离子。
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老化的表现：
老化是指在各种外加应力及外界因素作用下，其性能及电气物理参数发生改变，逐步偏离其起始性能指标。ZnO压敏电阻器老化后的I-V特性，老化主要集中在预击穿区，而击穿区的老化较小，表现为I-V特性曲线在低电场区向右偏移，阻性电流加大，功率损耗增大，压敏电压下降。直流电压作用后的老化，I-V特性不对称；交流电压作用下的老化。另老化后电容量减小，介电损耗增大。
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电压比与残压UR
电压比指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。
残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时，它两端电压的峰值。一般来说，流入压敏电阻器的浪涌电流的峰值都在1mA以上，对通用压敏电阻和防雷型压敏电阻而言，所谓特定波形指的是IEC本60060-2: 1973标准规定的8/20 μs标准雷电流波形。
源林电子的压敏电阻器广受赞誉，可靠性高、性价比高，具有很强的市场竞争力，想了解更多温度传感器资料，欢迎来电咨询！
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