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ZnO压敏电阻器的结构：
晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。
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电压温度系数TC
电压温度系数指在规定的温度范围（温度范围为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1°C时，压敏电阻器两端电压的相对变化。严格说，电压温度系数不是一个常数，在不同温度下，T值是不同的，不过通常不需要给出TC与温度的关系曲线。
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压敏电阻直流作用下的老化机理
直流作用下。反偏压侧的Zni向晶界迁移，中和了部分VZn，使表面受主态密度下降，势垒降低，阻性电流增大。直流电压作用下的老化不对称，是因为测试电压极性如与老化时加的电压一致，电压主要加在正极性侧的耗尽层上，而这一侧可迁移的填隙锌离子已不多；如极性相反，则电压主要加在另一侧的耗尽层上，而这侧有大量的填隙锌离子，所以阻性电流大。
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