过压保护|防浪涌(图),贴片压敏电阻器,压敏电阻器
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压敏电阻直流作用下的老化机理
直流作用下。反偏压侧的Zni向晶界迁移，中和了部分VZn，使表面受主态密度下降，势垒降低，阻性电流增大。直流电压作用下的老化不对称，是因为测试电压极性如与老化时加的电压一致，电压主要加在正极性侧的耗尽层上，而这一侧可迁移的填隙锌离子已不多；如极性相反，则电压主要加在另一侧的耗尽层上，而这侧有大量的填隙锌离子，所以阻性电流大。
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压敏电压U1mA
压敏电阻的电流为1mA时所对应的电压作为I随U迅速上升的电压大小的标准，该电压用U1mA表示，称为压敏电压。压敏电压是ZnO压敏电阻器伏安曲线中预击穿区和击穿区转折点的一个参数，一般情况下是一般情况下是1mA（Φ5 产品为0.1mA）直流电流通过时，产品的两端的电压值，其偏差为±0.1%。
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残压比KR
通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。
残压比KR的定义公式为：
KR =UR/UN
残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。
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