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ZnO压敏电阻器的限压原理：
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS为浪涌电压，Zsourc为浪涌电压源的阻抗，如传输线的电阻或线圈的电感等，ZSIOV
为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估，因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低频时大得多。
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压敏电阻器在电路的过电压防护中，如果正常工作在预击穿区和击穿区，理论上是不会损坏的。但由于压敏电阻器要长期承受电源电压，电路中暂态过电压、超能量过电压随机的不断冲击及吸收电路储能元件释放能量，因此，压敏电阻器也是会损坏的它的寿命根据所在电路经受的过电压幅值和能量的不同而不同。
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残压比KR
通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。
残压比KR的定义公式为：
KR =UR/UN
残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。
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