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ＺｎＯ 压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是 ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富 Ｂｉ 相（图 ３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ 压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而 ＴｉＯ２ 和 ＢａＯ 则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的 ＺｎＯ 晶粒是 ＺｎＯ 压敏电阻的基本构成单纯 ＺｎＯ 是具有线性 Ｉ－Ｕ 特性的非化学计量 ｎ 型半导 体。进入 ＺｎＯ 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌
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介电特性：
压敏电阻器类似一边界层电容器，视在介电常数很高。介电常数和介电损耗与频率，温度和所加的电压有关，在30-106°C的温度范围内，介电常数随温度升高而增大；介电常数随频率升高而下降；电容在低电场区域随所加电压的增加而降低，进入中电场区域随电压增大而急剧上升。
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氧化锌压敏电阻器的使用方法：压敏电阻器是一种无极性过电压保护元件，无论是交流还是直流电路，只需将压敏电阻器与被保护电器设备或元器件并联即可达到保护设备的目的
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