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压敏电压和电阻器厚度的关系：
对ZnO压敏电阻器，加在每晶界上的电压约为3.5V，所以当晶粒大小一定时，压敏电阻器越厚，压敏电压越高，关系如下：
U=UgbNgt , E0.5=U/t
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ＺｎＯ 压敏电阻的微观结构分析发现，形成的四个主要 成分是 ＺｎＯ、尖晶石、焦绿石和一些富 Ｂｉ 相（图 ３）。图 中也指明了组分存在的部位，还存在一些用现有技术尚不 易检测出来的其它次要相。 ＺｎＯ 压敏电阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之间， 并且也总是伴有双晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生长，而 ＴｉＯ２ 和 ＢａＯ 则加速晶粒长大。尖晶石和焦绿石相对晶粒长大有 抑制作用。焦绿石相在低温时起作用，而尖晶石相在高温 时有利。当用盐酸浸蚀晶粒时，中间相呈现出在电性上绝 缘的三维网络。 烧结形成的 ＺｎＯ 晶粒是 ＺｎＯ 压敏电阻的基本构成单纯 ＺｎＯ 是具有线性 Ｉ－Ｕ 特性的非化学计量 ｎ 型半导 体。进入 ＺｎＯ 中的各种添加物使其具有非线性。这些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。这些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 边界处形成原子缺陷，施主或类施主缺陷支配着耗尽层， 而受主和类受主缺陷支配着晶粒边界状态。相关的缺陷类 型是锌空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙锌
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