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压敏电阻交流作用下的老化机理
交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn
i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。
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压敏电压和电阻器厚度的关系：
对ZnO压敏电阻器，加在每晶界上的电压约为3.5V，所以当晶粒大小一定时，压敏电阻器越厚，压敏电压越高，关系如下：
U=UgbNgt , E0.5=U/t
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