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ZnO压敏电阻器的结构：
晶粒体为电阻率很低的半导体，晶界为绝缘体，类似边界层电容器，另在晶界形成两背靠背的肖特基势垒。因邻近晶粒的取向不同，两晶粒交界处结构松弛，杂质占据这些位置比占据体内晶格位置的能量低，所以容易在晶界偏析。
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非线性区域：
中电场区为非线性区域，也是压敏电阻器应用中重要的区域，导电机理主要是隧道电流及空穴生成降低势垒。如只考虑隧道效应J = J0exp(-λ/E)，λ为3π(2m)1/2φ3/2/2he,E为耗尽层中的电场强度，算出的a值低于50。
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