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预击穿区：是指在此区域内，施加于压敏电阻器两端的电压小于其压敏电压，其导电属于热激发电子电导机理。因此，压敏电阻器相当于一个10MΩ以上的绝缘电阻，这时通过压敏电阻器的阻性电流仅为微安级，可看作为开路。该区域是电路正常运行时压敏电阻器所处的状态。
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老化机理：
曾经被认为是老化的起因的有电子陷阱，偶极子转向，氧脱附和离子迁移，目前能证实的只有填隙锌离子迁移。一般认为老化是晶界现象，是由于耗尽层内离子迁移，而Zni是主要的迁移离子。
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