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压敏电阻交流作用下的老化机理
交流作用下。在正半周时，假设右侧为正极性，电压主要加在右侧的耗尽层上，使右侧的Zni向晶界迁移，而左侧所加电压很低，Zn
i向晶粒内迁移不大；在负半周，电压主要加在左侧，使左侧Zni向晶界迁移，右侧这时所加电压很低，Zni向晶粒体内迁移不大。总的结果是左右两侧的Zni都向晶界迁移。
源林电子（www.dgyuanlin.cn）是一家专业研发、生产压敏电阻的高科技电子元器件企业。主营压敏电阻、热敏电阻和温度传感器，自有研发团队，厂家直销！
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当过电压幅值高于规定电流下的电压，过电流幅值小于压敏电阻器的顶峰值电流时(若无压敏电阻器足以使设备元器件破坏)，压敏电阻器处于击穿区，可将过电压瞬时限制在很低的幅值上，此时通过压敏电阻器的浪涌电流幅值不大(<100A/cm2),不足以对压敏电阻器产生劣化；当过电压幅值很高时，压敏电阻器将过电压限制在较低的水平上(小于设备的耐压水平)，同时通过压敏电阻器的冲击电流很大，使压敏电阻器性能劣化即将失效，这时通过熔断器的电流很大，熔断器断开，这样既可使电器设备、元器件免受过电压冲击，也可避免由于压敏电阻器的劣化击穿造成线路L-N、L-PE之间短路
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