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老化机理:
曾经被认为是老化的起因的有电子陷阱,偶极子转向,氧脱附和离子迁移,目前能证实的只有填隙锌离子迁移。一般认为老化是晶界现象,是由于耗尽层内离子迁移,而Zni是主要的迁移离子。
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ZnO压敏电阻器的限压原理:
VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV),其中VS为浪涌电压,Zsourc为浪涌电压源的阻抗,如传输线的电阻或线圈的电感等,ZSIOV
为ZnO压敏电阻器在某电流下的电阻。浪涌电压源的阻抗往往被低估,因浪涌电流包含许多KHz—MHz的交流成分,其阻抗比低频时大得多。
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